Transistörler - FET, MOSFET - RF

AFT26H200W03SR6

FET RF 2CH 65V 2.5GHZ NI1230S-4

Paket/Kılıf
NI-1230-4S
Seri / Aile Numarası
AFT26H200W03SR6

AFT26H200W03SR6 Hakkında

AFT26H200W03SR6, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual kanal LDMOS RF transistörlü entegre devredir. 2.5GHz çalışma frekansı ve 45W çıkış gücü ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 65V nominal ve 28V test gerilimi ile tasarlanan bileşen, 14.1dB kazanç sağlamaktadır. NI-1230-4S paketinde sunulan bu transistör, kablosuz haberleşme sistemleri, RF güç amplifikatörleri ve yüksek frekanslı uygulamalarda yer alır. Obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Test 500 mA
Frequency 2.5GHz
Gain 14.1dB
Package / Case NI-1230-4S
Part Status Obsolete
Power - Output 45W
Supplier Device Package NI-1230-4S
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 65 V
Voltage - Test 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok