Transistörler - FET, MOSFET - RF
AFT21H350W04GSR6
FET RF 2CH 65V 2.11GHZ
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-1230S-4 GW
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- AFT21H350W04GSR6
AFT21H350W04GSR6 Hakkında
AFT21H350W04GSR6, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual kanal LDMOS RF transistörüdür. 2.11 GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 65V nominal gerilim ve 63W çıkış gücü özellikleriyle tasarlanmıştır. 16.4 dB kazanç değeri ile RF güç amplifikatörü uygulamalarında kullanılır. Test koşullarında 28V gerilim ve 750 mA akım değerleri belirtilmiştir. NI-1230S-4 GW paketlemesinde sunulan komponent, 2G/3G/4G haberleşme sistemleri, mobil baz istasyonları ve RF güç amplifikasyon devrelerinde uygulanmaya elverişlidir. Üretimi durdurulmuş (Obsolete) olup, stok tükenmeden temin edilmesi önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 750 mA |
| Frequency | 2.11GHz |
| Gain | 16.4dB |
| Package / Case | NI-1230S-4 GW |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 63W |
| Supplier Device Package | NI-1230S-4 GULL |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok