Transistörler - IGBT - Tekil
AFGY120T65SPD
IGBT - 650 V 120 A FS3 FOR EV TR
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AFGY120T65SPD
AFGY120T65SPD Hakkında
AFGY120T65SPD, onsemi tarafından üretilen 650V 120A kapasiteli Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu komponent, elektrikli araç (EV) uygulamaları için tasarlanmıştır. Maksimum 160A sürekli kollektör akımı ve 360A darbe akımı kapasitesine sahiptir. 2.05V tipik on-state voltajı ve 107ns ters geri kazanım süresi ile düşük kayıp işletme sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Güç dönüştürücüler, inverterler ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 125nC gate charge ile hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 160 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 360 A |
| Gate Charge | 125 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 714 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 107 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 6.6mJ (on), 3.8mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 40ns/80ns |
| Test Condition | 400V, 120A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 120A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok