Transistörler - IGBT - Tekil
AFGY100T65SPD
IGBT - 650 V 100 A FS3 FOR EV TR
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-247-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AFGY100T65SPD
AFGY100T65SPD Hakkında
AFGY100T65SPD, onsemi tarafından üretilen 650V/100A Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, elektrikli araçlar (EV) ve yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 660W maksimum güç kapasitesine sahip olan transistör, 2.05V Vce(on) değeriyle düşük iletim kaybı sağlar. 109nC gate charge ve 36ns/78ns anahtarlama gecikme süreleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar. 105ns reverse recovery time ile ters kurtarma kaybı minimize edilmiştir. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir işlem yapabilir. 300A darbe akımı kapasitesi geçici yük koşullarında esneklik sağlar. Güç çevirici, invertör, motor sürücüsü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 120 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Gate Charge | 109 nC |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 660 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 105 ns |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Switching Energy | 5.1mJ (on), 2.7mJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 36ns/78ns |
| Test Condition | 400V, 100A, 5Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 100A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok