Transistörler - IGBT - Tekil
AFGB40T65SQDN
650V/40A FS4 IGBT TO263 A
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AFGB40T65SQDN
AFGB40T65SQDN Hakkında
AFGB40T65SQDN, onsemi tarafından üretilen 650V/40A FS4 IGBT transistördür. TO-263-3 (D²Pak) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Maksimum kolektör akımı 80A, darbe akımı 160A ve maksimum güç kapasitesi 238W'dur. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde ve 40A'de 2.1V'dur. Ters iyileşme süresi 131ns, açılış/kapanış gecikmesi sırasıyla 17.6ns/75.2ns'dir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC-DC dönüştürücüler ve indüktif yükler gibi uygulamalarda kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Gate Charge | 76 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 238 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 131 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK-3 (TO-263-3) |
| Switching Energy | 858µJ (on), 229µJ (off) |
| Td (on/off) @ 25°C | 17.6ns/75.2ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 6Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 40A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok