Transistörler - IGBT - Tekil
AFGB30T65SQDN
650V/30A FS4 IGBT TO263 A
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- AFGB30T65SQDN
AFGB30T65SQDN Hakkında
AFGB30T65SQDN, onsemi tarafından üretilen 650V/30A Fast IGBT transistördür. TO-263-3 (D²PAK) paket tipinde sunulan bu bileşen, yüksek frekans anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 60A maksimum kolektör akımı ve 120A darbe akımı kapasitesi ile güç elektronik devrelerde, inverter, motor sürücü ve switched-mode power supply (SMPS) tasarımlarında tercih edilir. 650V diyot kapanış gerilimi, düşük gate charge (56 nC) ve hızlı anahtarlama süreleri (14.5ns/63.2ns) ile enerji verimliliği sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bileşen, 220W maksimum güç dağıtımına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 60 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120 A |
| Gate Charge | 56 nC |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 220 W |
| Reverse Recovery Time (trr) | 245 ns |
| Supplier Device Package | D²PAK-3 (TO-263-3) |
| Td (on/off) @ 25°C | 14.5ns/63.2ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 6Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok