Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3T19H455W23SR6
1930-1990 MHZ, 81 W AVG., 30 V A
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- ACP-1230S-4L2S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3T19H455W23SR6
A3T19H455W23SR6 Hakkında
A3T19H455W23SR6, Rochester Electronics tarafından üretilen dual LDMOS RF transistörüdür. 1.93 GHz ile 1.99 GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 81W ortalama çıkış gücü ve 16.4 dB kazanç özellikleri ile RF güç amplifikatörü uygulamalarında kullanılır. 30V test voltajında 540mA test akımı ile çalışır, maksimum 65V rated voltajına dayanıklıdır. ACP-1230S-4L2S paketinde sunulan bu transistör, PCS ve AWS bandlarında hücresel haberleşme sistemleri, yayın amplifikatörleri ve endüstriyel RF sistemlerinde uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 540 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 1.93GHz ~ 1.99GHz |
| Gain | 16.4dB |
| Package / Case | ACP-1230S-4L2S |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 81W |
| Supplier Device Package | ACP-1230S-4L2S |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok