Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3T18H400W23SR6
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- ACP-1230S-4L2S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3T18H400W23SR6
A3T18H400W23SR6 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A3T18H400W23SR6, AIRFAST RF Power LDMOS Transistör seriesinden bir dual kanal RF güç transistörüdür. 28V test voltajında 170W çıkış gücü sunabilen bu bileşen, GSM 1800/1900 MHz bant uygulamaları için tasarlanmıştır. 1.805GHz ile 1.88GHz frekans aralığında 16.8dB kazanç sağlar. 65V nominal voltaj ve 300mA test akımı ile karakterize edilen transistör, mobil iletişim sistemleri, temel istasyonları ve endüstriyel RF uygulamalarında kullanılır. ACP-1230S-4L2S paket standardında sunulan bileşen, yüksek verimliliğe gerektiren güç amplifikasyon devrelerinde yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 300 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Gain | 16.8dB |
| Package / Case | ACP-1230S-4L2S |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 170W |
| Supplier Device Package | ACP-1230S-4L2S |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok