Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3I35D025NR1
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3I35D025NR1
A3I35D025NR1 Hakkında
A3I35D025NR1, NXP Semiconductors tarafından üretilen AIRFAST RF Power GAN Transistor serisi LDMOS türü bir RF güç transistörüdür. 28V nominal çalışma geriliminde 3.4W çıkış gücü sağlayan bu bileşen, 3.2GHz ile 4GHz frekans aralığında 27.8dB kazanç değeri ile çalışmaktadır. TO-270-17 Flat Leads paketinde sunulan transistör, kablosuz iletişim sistemleri, radarlar, RF amplifikatörleri ve endüstriyel RF uygulamalarında kullanılır. Bileşen Obsolete statüsünde olup, TO-270WB-17 tedarikçi paketlemesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Frequency | 3.2GHz ~ 4GHz |
| Gain | 27.8dB |
| Package / Case | TO-270-17 Variant, Flat Leads |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 3.4W |
| Supplier Device Package | TO-270WB-17 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok