Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3I35D025GNR1
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3I35D025GNR1
A3I35D025GNR1 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A3I35D025GNR1, AIRFAST RF Power GaN Transistor serilerine ait bir LDMOS transistördür. 3.2GHz ile 4GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 28V rated voltajında 3.4W çıkış gücü sağlar. 27.8dB kazanç karakteristiği ile RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-270-17 Gull Wing paket tipinde sunulan transistör, kablosuz haberleşme, radar ve endüstriyel RF sistemlerinde uygulanır. Bileşen üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete status).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Frequency | 3.2GHz ~ 4GHz |
| Gain | 27.8dB |
| Package / Case | TO-270-17 Variant, Gull Wing |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 3.4W |
| Supplier Device Package | TO-270WBG-17 |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok