Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3I25D080NR1
AIRFAST RF LDMOS INTEGRATED POWE
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3I25D080NR1
A3I25D080NR1 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A3I25D080NR1, AIRFAST RF LDMOS entegre güç transistörüdür. Dual LDMOS yapısıyla tasarlanan bu bileşen, 2.3GHz ile 2.69GHz frekans bandında çalışır ve 8.3W çıkış gücü sağlar. 28V test gerilimi altında 175mA akım kapasitesi ile 65V nominal gerilim desteği sunar. 29.2dB kazanç değeri ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılmaya uyundur. TO-270-17 flat leads paketlemesi ile sunulan bileşen, hücresel iletişim, kablosuz ağ ve endüstriyel RF uygulamalarında yer almaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 175 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 2.3GHz ~ 2.69GHz |
| Gain | 29.2dB |
| Package / Case | TO-270-17 Variant, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 8.3W |
| Supplier Device Package | TO-270WB-17 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok