Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3I25D080GNR1
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3I25D080GNR1
A3I25D080GNR1 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A3I25D080GNR1, AIRFAST RF Power GaN teknolojisini kullanan bir LDMOS transistördür. 2.3GHz ile 2.69GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 8.3W çıkış gücü sağlar ve 29.2dB kazanç sunar. 65V nominal gerilim değeri ile tasarlanan transistör, 28V test geriliminde 175mA test akımı ile çalışır. TO-270-17 Gull Wing paketinde sunulan bu dual LDMOS yapısı, radyo frekans güç amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. Mobil iletişim sistemleri, hava alanı radarları ve endüstriyel RF uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 175 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 2.3GHz ~ 2.69GHz |
| Gain | 29.2dB |
| Package / Case | TO-270-17 Variant, Gull Wing |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 8.3W |
| Supplier Device Package | TO-270WBG-17 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok