Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3I20X050NR1
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- OM-400-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3I20X050NR
A3I20X050NR1 Hakkında
A3I20X050NR1, NXP Semiconductors tarafından üretilen AIRFAST RF LDMOS wideband entegre transistördür. Dual LDMOS yapısı ile 1.8GHz ile 2.2GHz arasında çalışan bu bileşen, 6.3W çıkış gücü ve 29.3dB kazanç sağlayarak RF güç amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. 28V test gerilimi ile 145mA akım kapasitesine sahiptir. OM-400-8 paketinde sunulan bu transistör, hücresel iletişim sistemleri, broadcast yayıncılığı ve endüstriyel RF uygulamalarında yaygın olarak yer alır. 65V nominal çalışma gerilimi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 145 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 1.8GHz ~ 2.2GHz |
| Gain | 29.3dB |
| Package / Case | OM-400-8 |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 6.3W |
| Supplier Device Package | OM-400-8 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok