Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3I20X050GNR1
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- OM-400G-8
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3I20X050GNR1
A3I20X050GNR1 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A3I20X050GNR1, AIRFAST RF LDMOS wideband entegre transistördür. Dual LDMOS yapısıyla tasarlanan bu bileşen, 1.8GHz ile 2.2GHz frekans aralığında çalışır. 6.3W çıkış gücü ve 29.3dB kazanç ile RF uygulamalarında kullanılmak üzere geliştirilmiştir. 28V test voltajında 145mA akım kapasitesine sahip, maksimum 65V rated voltajda güvenli çalışır. OM-400G-8 paket ile sunulan bu transistör, geniş bant RF amplifikasyon, mobil haberleşme, yayın ve endüstriyel RF uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 145 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 1.8GHz ~ 2.2GHz |
| Gain | 29.3dB |
| Package / Case | OM-400G-8 |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 6.3W |
| Supplier Device Package | OM-400G-8 |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok