Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3G26H350W17SR3
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4S2S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3G26H350W17SR3
A3G26H350W17SR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen AIRFAST RF Power GaN Transistor, yüksek frekanslı RF uygulamaları için tasarlanmıştır. 2.496GHz ~ 2.69GHz frekans bandında çalışan bu bileşen, 59W çıkış gücü sağlar ve 13.3dB kazanç sunar. 48V test voltajında 250mA test akımı ile belirtilen özellikleri gösterir. NI-780S-4S2S paketinde sunulan transistör, kablosuz haberleşme sistemleri, radyo frekans amplifikatörleri ve 5G uygulamaları gibi alanlarda kullanılır. 125V nominal voltaj değeri ile RF power amplifier tasarımlarında tercih edilen bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 250 mA |
| Frequency | 2.496GHz ~ 2.69GHz |
| Gain | 13.3dB |
| Package / Case | NI-780S-4S2S |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 59W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4S2S |
| Voltage - Rated | 125 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok