Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3G26H200W17SR3
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4S2S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3G26H200W17SR3
A3G26H200W17SR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A3G26H200W17SR3, AIRFAST RF Power GaN Transistor teknolojisini kullanan yüksek frekanslı güç amplifikatörüdür. 2.496GHz ile 2.69GHz arasında çalışan bu bileşen, 34W çıkış gücü ve 14.2dB kazanç sağlayarak 5G iletişim sistemleri, baz istasyonları, radar uygulamaları ve kablosuz haberleşme alıcı-verici devrelerinde kullanılır. NI-780S-4S2S paketinde sunulan transistör, 48V test voltajında 120mA akım ile 125V derecelendirilmiş voltajda optimum performans gösterir. GaN teknolojisi sayesinde yüksek verim ve hızlı anahtarlama özellikleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 120 mA |
| Frequency | 2.496GHz ~ 2.69GHz |
| Gain | 14.2dB |
| Package / Case | NI-780S-4S2S |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 34W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4S2S |
| Voltage - Rated | 125 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok