Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3G26D055NT4
RF GAN MOSFET AIRFAST 8W 48V
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 6-LDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3G26D055NT4
A3G26D055NT4 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A3G26D055NT4, GaN (Gallium Nitride) tabanlı bir RF MOSFET transistördür. AIRFAST serisi ürün olarak 8W çıkış gücü ile tasarlanmıştır. 48V test gerilimi ve 125V rated gerilim değerlerine sahip olup, 100MHz ile 2.69GHz frekans aralığında çalışabilir. 13.9dB kazanç değeri ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 6-LDFN (6-PDFN 7x6.5) paket tipi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. Mobil baz istasyonları, radar sistemleri, kablosuz haberleşme ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 40 mA |
| Frequency | 100MHz ~ 2.69GHz |
| Gain | 13.9dB |
| Package / Case | 6-LDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 8W |
| Supplier Device Package | 6-PDFN (7x6.5) |
| Transistor Type | GaN |
| Voltage - Rated | 125 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok