Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3G26D055N-2515
RF REFERENCE CIRCUIT 55W 2515MHZ
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 6-LDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3G26D055N
A3G26D055N-2515 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A3G26D055N-2515, GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayanan bir RF MOSFET transistördür. 55W çıkış gücü ile tasarlanan bu bileşen, 2515 MHz'de referans devre uygulamaları için kullanılır. 100MHz ile 2.69GHz arasında geniş frekans aralığında çalışabilen transistör, 13.9dB kazanç sağlar. 125V nominal voltaj ve 48V test voltajında 40mA test akımı ile karakterize edilmiştir. 6-LDFN exposed pad paket ile sunulan bu component, mobil ağ altyapısı, broadcast amplifikatörleri ve endüstriyel RF uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 40 mA |
| Frequency | 100MHz ~ 2.69GHz |
| Gain | 13.9dB |
| Package / Case | 6-LDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 8W |
| Supplier Device Package | 6-PDFN (7x6.5) |
| Transistor Type | GaN |
| Voltage - Rated | 125 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok