Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3G26D055N-2400
RF REFERENCE CIRCUIT 28W 2400MHZ
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 6-LDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3G26D055N
A3G26D055N-2400 Hakkında
A3G26D055N-2400, NXP Semiconductors tarafından üretilen GaN teknolojisine dayalı RF MOSFET transistördür. 2400MHz frekans bandında çalışmaya tasarlanmış bu komponent, 8W çıkış gücü ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 13.9dB kazanç ve 48V test gerilimi ile mobil iletişim sistemleri, kablosuz ağ cihazları ve radar uygulamalarında yer bulur. 6-LDFN pakette sunulan transistör, geniş frekans aralığında (100MHz - 2.69GHz) çalışabilir. 125V nominal gerilim ile tasarlanmıştır ve aktif üretim durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 40 mA |
| Frequency | 100MHz ~ 2.69GHz |
| Gain | 13.9dB |
| Package / Case | 6-LDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 8W |
| Supplier Device Package | 6-PDFN (7x6.5) |
| Transistor Type | GaN |
| Voltage - Rated | 125 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok