Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3G26D055N-2110
RF REFERENCE CIRCUIT 25W 2110-22
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 6-LDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3G26D055N
A3G26D055N-2110 Hakkında
A3G26D055N-2110, NXP Semiconductors tarafından üretilen GaN teknolojisine dayalı bir RF MOSFET transistördür. 48V test gerilimi altında 8W çıkış gücü ve 13.9dB kazanç sağlayan bu komponent, 100MHz ile 2.69GHz arasındaki frekans aralığında çalışır. 6-LDFN Exposed Pad paketlemesi ile sağlanan bileşen, 125V nominal çalışma gerilimi ve aktif üretim durumuna sahiptir. RF güç amplifikatörü uygulamaları, kablosuz haberleşme sistemleri ve yüksek frekans sinyal işleme uygulamalarında kullanılan bu transistör, enerji verimliliği ve kompakt tasarım gerektiren endüstriyel ve telekomünikasyon cihazlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 40 mA |
| Frequency | 100MHz ~ 2.69GHz |
| Gain | 13.9dB |
| Package / Case | 6-LDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 8W |
| Supplier Device Package | 6-PDFN (7x6.5) |
| Transistor Type | GaN |
| Voltage - Rated | 125 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok