Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3G26D055N-1805
RF REFERENCE CIRCUIT 25W 1805-18
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 6-LDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3G26D055N
A3G26D055N-1805 Hakkında
A3G26D055N-1805, NXP Semiconductors tarafından üretilen GaN tabanlı RF MOSFET transistörüdür. 100MHz ile 2.69GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 48V test gerilimi altında 8W çıkış gücü sağlamaktadır. 13.9dB kazanç ile RF güç amplifikatörü ve sinyal yükseltici uygulamalarında kullanılır. 125V nominal gerilim değeri ile tasarlanmış, 6-LDFN (7x6.5) SMD paketinde temin edilmektedir. Yüksek frekanslı haberleşme, radyo frekans endüstriyel uygulamalar ve mobil iletişim sistemlerinde RF ön amplifikasyon aşamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 40 mA |
| Frequency | 100MHz ~ 2.69GHz |
| Gain | 13.9dB |
| Package / Case | 6-LDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 8W |
| Supplier Device Package | 6-PDFN (7x6.5) |
| Transistor Type | GaN |
| Voltage - Rated | 125 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok