Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3G26D055N-100
RF REF CIRCUIT 25W 100-2800MHZ
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- 6-LDFN Exposed Pad
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3G26D055N
A3G26D055N-100 Hakkında
A3G26D055N-100, NXP Semiconductors tarafından üretilen GaN (Gallium Nitride) teknolojisine dayalı RF reference circuit transistörüdür. 100MHz ile 2.69GHz frekans aralığında çalışabilen bu bileşen, 8W çıkış gücü ve 13.9dB kazanç değerleriyle RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 48V test gerilimi ve 125V rated gerilim ile yüksek gerilim uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 6-LDFN SMD paketinde sunulan bu transistör, kablosuz iletişim sistemleri, radar, microwave amplifikatörleri ve broadcast uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 40 mA |
| Frequency | 100MHz ~ 2.69GHz |
| Gain | 13.9dB |
| Package / Case | 6-LDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 8W |
| Supplier Device Package | 6-PDFN (7x6.5) |
| Transistor Type | GaN |
| Voltage - Rated | 125 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok