Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3G18H500-04SR3
RF MOSFET LDMOS 48V NI-780S-4L
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3G18H500
A3G18H500-04SR3 Hakkında
A3G18H500-04SR3, NXP Semiconductors tarafından üretilen RF MOSFET LDMOS transistördür. Dual LDMOS yapısına sahip bu bileşen, 1.805GHz - 1.88GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 48V test gerilimi ile 107W çıkış gücü sağlayan bu transistör, mobil haberleşme sistemleri, baz istasyonları ve RF güç amplifikatörü uygulamalarında kullanılır. 15.4dB kazanç değeri ile sinyal yükseltme amaçlı devrelerde tercih edilir. NI-780S-4L paketlemesi kompakt kurulumlar için uygundur. Maksimum 125V rated gerilim ve 200mA test akımı özellikleriyle güvenli ve kararlı çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 200 mA |
| Frequency | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Gain | 15.4dB |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 107W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 125 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok