Transistörler - FET, MOSFET - RF
A3G18D510-04SR3
AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR,
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A3G18D510
A3G18D510-04SR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A3G18D510-04SR3, AIRFAST RF Power GaN teknolojisine dayanan bir transistördür. 1.805GHz ile 2.2GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 56W çıkış gücü sağlayarak yüksek frekanslı güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 16dB kazanç değeri ile RF devrelerinde sinyal güçlendirme işlevini yerine getirir. 125V nominal çalışma gerilimi ve 48V test gerilimi ile tasarlanmıştır. Galium Nitride (GaN) tabanlı yapısı sayesinde verimli enerji dönüşümü sağlar. Mobil haberleşme, radar, broadcast ve endüstriyel RF uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. NI-780S-4L paketleme standardı ile sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 250 mA |
| Frequency | 1.805GHz ~ 2.2GHz |
| Gain | 16dB |
| Package / Case | NI-780S-4L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 56W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L |
| Voltage - Rated | 125 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok