Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2V09H525-04NR6
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- OM-1230-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2V09H525
A2V09H525-04NR6 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2V09H525-04NR6, AIRFAST RF LDMOS wideband entegre transistördür. 720MHz ile 960MHz frekans aralığında çalışan bu LDMOS transistör, 120W çıkış gücü ve 18.9dB kazanç sağlar. 48V test gerilimi ve 105V nominal gerilim ratingi ile tasarlanmıştır. 10µA quiescent akımı ile düşük güç tüketimine sahiptir. OM-1230-4L paket tipi içerisinde temin edilen bu bileşen, RF güç amplifikatörleri, wireless iletişim sistemleri ve yayın ekipmanlarında yaygın olarak kullanılır. Geniş bant çalışma yetenekleri sayesinde çok frekanslı uygulamalara uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 688 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 720MHz ~ 960MHz |
| Gain | 18.9dB |
| Package / Case | OM-1230-4L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 120W |
| Supplier Device Package | OM-1230-4L |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 105 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok