Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2V07H525-04NR6
AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- OM-1230-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2V07H525
A2V07H525-04NR6 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2V07H525-04NR6, AIRFAST teknolojisine dayalı RF LDMOS transistördür. 595MHz ile 851MHz frekans aralığında çalışan bu komponent, 48V test gerilimi altında 120W çıkış gücü sağlayabilir. 17.5dB kazancı ve 700mA test akımı ile, geniş bant RF uygulamalarında kullanılan entegre bir çözümdür. OM-1230-4L paketinde sunulan komponent, mobil haberleşme sistemleri, yayın ekipmanları ve endüstriyel RF uygulamalarında rf güç amplifikasyonu için tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 700 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 595MHz ~ 851MHz |
| Gain | 17.5dB |
| Package / Case | OM-1230-4L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 120W |
| Supplier Device Package | OM-1230-4L |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 105 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok