Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2V07H400-04NR3
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- OM-780G-4L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2V07H400
A2V07H400-04NR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2V07H400-04NR3, AIRFAST RF Power LDMOS transistördür. Dual LDMOS konfigürasyonu ile tasarlanmış bu bileşen, 595MHz ile 851MHz arasındaki frekans aralığında çalışır. 48V test gerilimi altında 700mA test akımı ile 267W çıkış gücü sağlamakta, 19.9dB kazanç değerine sahiptir. 105V nominal gerilim rating'i ile tasarlanan bu transistör, OM-780G-4L paketinde sunulur. Broadcast, radyo istasyonları ve RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Aktif durumdaki ürün, yüksek verimli güç amplifikasyonu gerektiren profesyonel RF sistemlerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 700 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 595MHz ~ 851MHz |
| Gain | 19.9dB |
| Package / Case | OM-780G-4L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 267W |
| Supplier Device Package | OM-780G-4L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 105 V |
| Voltage - Test | 48 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok