Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T27S020GNR1
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-270BA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T27S020GNR1
A2T27S020GNR1 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T27S020GNR1, AIRFAST RF Power LDMOS transistördür. 20W çıkış gücü ile tasarlanan bu bileşen, 400MHz ile 2.7GHz frekans aralığında çalışır ve 21dB kazanç sağlar. 28V test voltajında 185mA akım ile işletilen transistör, maksimum 65V voltaj ile kullanılabilir. TO-270-2 GULL paketinde sunulan bu LDMOS transistörü, mobil haberleşme, broadcast, endüstriyel RF uygulamaları ve hava sahası (airborne) sistemlerinde RF güç yükselteçlerinde yer alır. Yüksek verimlilik ve miniaturize tasarım ile dikkat çeken bu komponent, 10µA leakage akımı karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 185 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 400MHz ~ 2.7GHz |
| Gain | 21dB |
| Package / Case | TO-270BA |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 20W |
| Supplier Device Package | TO-270-2 GULL |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok