Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T26H300-24SR6
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-1230-4LS2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T26H300
A2T26H300-24SR6 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T26H300-24SR6, RF uygulamaları için tasarlanmış dual LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) transistördür. 60W çıkış gücü ve 2.5GHz çalışma frekansıyla radyo frekans amplifikatörü uygulamalarında kullanılır. 14.5dB kazanç değeri ve 65V dereceli voltaj ile harita çalışması için elverişlidir. 28V test voltajında 800mA test akımı özelliği vardır. NI-1230-4LS2L kapsüllemesinde sunulan ürün, temel taşıyıcı istasyonları, mobil iletişim uygulamaları ve endüstriyel RF sistemlerinde yer alır. Last Time Buy durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 800 mA |
| Frequency | 2.5GHz |
| Gain | 14.5dB |
| Package / Case | NI-1230-4LS2L |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 60W |
| Supplier Device Package | NI-1230-4LS2L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok