Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T26H165-24SR3
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T26H165
A2T26H165-24SR3 Hakkında
A2T26H165-24SR3, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual LDMOS RF transistörüdür. 2.5GHz'de çalışan bu bileşen, 32W çıkış gücü ve 14.7dB kazanç sağlar. 28V test gerilimi ve 65V nominal gerilim değerleriyle tasarlanmıştır. 400mA test akımı ile karakterize edilen bu transistör, RF güç amplifikaşonu uygulamalarında kullanılır. NI-780S-4L2L paketinde sunulan komponent, mobil haberleşme sistemleri, broadcast yayıncılığı ve endüstriyel RF uygulamaları gibi alanlarda yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 400 mA |
| Frequency | 2.5GHz |
| Gain | 14.7dB |
| Package / Case | NI-780S-4L2L |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 32W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L2L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok