Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T26H160-24SR3
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T26H160
A2T26H160-24SR3 Hakkında
A2T26H160-24SR3, Rochester Electronics tarafından üretilen RF güç FET transistörüdür. LDMOS (Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) teknolojisine dayanan dual kanal yapısıyla, yüksek frekanslı uygulamalarda kullanılır. 2.58GHz frekansında çalışan bu bileşen, 28W çıkış gücü sunmakta ve 15.5dB kazanç sağlamaktadır. 65V rated gerilim ve 28V test gerilimi ile tasarlanmış olan transistör, RF amplifikasyon, kablosuz iletişim sistemleri ve broadcast uygulamalarında sıkça tercih edilmektedir. NI-780S-4L2L paketinde sunulan bileşen, aktif ürün olarak temin edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 350 mA |
| Frequency | 2.58GHz |
| Gain | 15.5dB |
| Package / Case | NI-780S-4L2L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 28W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L2L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok