Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T26H160-24SR3
RF MOSFET LDMOS DL 28V NI780S
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T26H160
A2T26H160-24SR3 Hakkında
A2T26H160-24SR3, NXP Semiconductors tarafından üretilen RF MOSFET LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) transistörüdür. Dual konfigürasyonda tasarlanan bu bileşen, 28V test voltajında 350mA akım kapasitesine ve 28W çıkış gücüne sahiptir. 2.58GHz frekans bandında 15.5dB kazanç sağlar. 65V nominal voltaj sınırlaması ile tasarlanmıştır. NI-780S-4L2L paket tipi ile sunulan bu transistör, RF güç amplifikasyonu uygulamalarında, kablosuz haberleşme sistemlerinde ve endüstriyel RF devrelerinde kullanılır. Son üretim sürüşüne (Last Time Buy) tabi olan komponenttir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 350 mA |
| Frequency | 2.58GHz |
| Gain | 15.5dB |
| Package / Case | NI-780S-4L2L |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 28W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L2L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok