Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T23H300-24SR6
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-1230-4LS2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T23H300
A2T23H300-24SR6 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T23H300-24SR6, RF uygulamaları için tasarlanmış dual LDMOS transistörtür. 2.3GHz frekans bandında çalışan bu bileşen, 66W çıkış gücü ve 14.9dB kazanç sağlar. 28V test voltajında 750mA test akımıyla karakterize edilmiştir. Maksimum 65V voltaj değerlendirilmesine sahiptir. NI-1230-4LS2L paketinde sunulan bu transistör, RF güç amplifikatörleri, telekomünikasyon sistemleri ve yüksek frekanslı haberleşme uygulamalarında kullanılır. Son üretim ürünü (Last Time Buy) olarak listelenen bu bileşen, kritik RF uygulamaları için yedekleme ve envanter amaçlarıyla temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 750 mA |
| Frequency | 2.3GHz |
| Gain | 14.9dB |
| Package / Case | NI-1230-4LS2L |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 66W |
| Supplier Device Package | NI-1230-4LS2L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok