Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T23H200W23SR6
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- ACP-1230S-4L2S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T23H200W23SR6
A2T23H200W23SR6 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T23H200W23SR6, AIRFAST RF Power LDMOS transistördür. 2.3GHz-2.4GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 51W çıkış gücü ve 15.5dB kazanç ile tasarlanmıştır. 28V test gerilimi ve 65V nominal gerilim ile RF amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. ACP-1230S-4L2S paketinde sunulan transistör, GSM, 3G ve diğer hücresel iletişim sistemlerinde güç amplifikasyon aşamalarında yer alır. Cihazın obsolete statüsü nedeniyle yeni tasarımlarda alternatif bileşenler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 500 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 2.3GHz ~ 2.4GHz |
| Gain | 15.5dB |
| Package / Case | ACP-1230S-4L2S |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 51W |
| Supplier Device Package | ACP-1230S-4L2S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok