Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T23H160-24SR3
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-4L2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T23H160
A2T23H160-24SR3 Hakkında
A2T23H160-24SR3, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) RF transistörüdür. 2.3GHz frekans bandında çalışan bu bileşen, 28W çıkış gücü ve 17.7dB kazanç değerleriyle RF güç amplifikatörü uygulamalarında kullanılır. 65V rated voltaj ve 28V test voltajı ile tasarlanmış olup, 350mA test akımında çalışır. Kablosuz iletişim sistemleri, mobil base station amplifikatörleri ve RF enerji hasat uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bu transistör, NI-780S-4L2L paketinde sunulmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 350 mA |
| Frequency | 2.3GHz |
| Gain | 17.7dB |
| Package / Case | NI-780S-4L2L |
| Part Status | Active |
| Power - Output | 28W |
| Supplier Device Package | NI-780S-4L2L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok