Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T21S160-12SR3
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780-2S2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T21S160
A2T21S160-12SR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T21S160-12SR3, RF uygulamaları için tasarlanmış bir LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistörüdür. 2.17GHz çalışma frekansında 18.4dB kazanç sağlayan bu bileşen, 38W çıkış gücü kapasitesi ile RF güç amplifikatörü devrelerinde kullanılır. 65V nominal gerilim ve 28V test geriliminde çalışacak şekilde tasarlanmıştır. NI-780-2S2L paket tipi ile sunulan bu transistör, mobil iletişim, kablosuz haberleşme ve radar sistemleri gibi RF yüksek güç uygulamalarında tercih edilir. Bileşenin üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, mevcut stoklardan temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 600 mA |
| Frequency | 2.17GHz |
| Gain | 18.4dB |
| Package / Case | NI-780-2S2L |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 38W |
| Supplier Device Package | NI-780-2S2L |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok