Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T21H360-24SR6
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-1230-4LS2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T21H360
A2T21H360-24SR6 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T21H360-24SR6, RF uygulamaları için tasarlanmış LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistördür. 2.14 GHz çalışma frekansında 63W çıkış gücü sağlayan bu bileşen, 16.2 dB kazanç ile güç yükseltici ve RF amplifikatör devrelerinde kullanılır. 28V test gerilimi ve 65V nominal gerilim ile çalışan transistör, 500mA test akımında karakterize edilmiştir. NI-1230-4LS2L paketinde sunulan bu komponent, haberleşme sistemleri, broadcast yayın, endüstriyel RF uygulamaları ve mobil altyapı sistemlerinde yer alan RF güç amplifikasyonu gerektiren tasarımlarda uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 500 mA |
| Frequency | 2.14GHz |
| Gain | 16.2dB |
| Package / Case | NI-1230-4LS2L |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 63W |
| Supplier Device Package | NI-1230-4LS2L |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok