Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T20H330W24SR6
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-1230-4LS2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T20H330W24SR6
A2T20H330W24SR6 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T20H330W24SR6, RF uygulamaları için tasarlanmış dual LDMOS transistördür. 1.88GHz frekansında çalışan bu bileşen, 58W çıkış gücü sağlayarak güçlü sinyal amplifikasyonu gerçekleştirir. 16.5dB kazanç ile mobil iletişim sistemleri, temel istasyonlar ve RF güç amplifikatörleri gibi uygulamalarda kullanılır. 28V test voltajında 700mA akım kapasitesine sahip olan komponent, NI-1230-4LS2L paketinde sunulmaktadır. Maksimum 65V rated voltaj ile tasarlanmış olup, son sipariş (Last Time Buy) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 700 mA |
| Frequency | 1.88GHz |
| Gain | 16.5dB |
| Package / Case | NI-1230-4LS2L |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 58W |
| Supplier Device Package | NI-1230-4LS2L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok