Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T20H330W24NR6
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- OM-1230-4L2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T20H330W24NR6
A2T20H330W24NR6 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T20H330W24NR6, AIRFAST RF Power LDMOS transistördür. 1.88GHz ile 2.025GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 229W çıkış gücü sağlamaktadır. 65V nominal çalışma gerilimi ve 28V test gerilimi ile tasarlanmıştır. 15.9dB kazanç değerine ve 700mA test akımına sahiptir. OM-1230-4L2L paket standardında sunulan bu LDMOS transistör, mobil haberleşme altyapıları, radyo frekans güç amplifikatörleri ve temel istasyon uygulamalarında kullanılmaktadır. Bileşen artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 700 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 1.88GHz ~ 2.025GHz |
| Gain | 15.9dB |
| Package / Case | OM-1230-4L2L |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 229W |
| Supplier Device Package | OM-1230-4L2L |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok