Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T18S262W12NR3
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- OM-880X-2L2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T18S262W12NR3
A2T18S262W12NR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T18S262W12NR3, AIRFAST RF Power LDMOS transistördür. 1.805GHz ile 1.88GHz frekans aralığında çalışan bu komponent, 231W çıkış gücü sağlayarak yüksek frekans uygulamalarında güç yükselticisi (power amplifier) olarak kullanılır. 28V test gerilimi altında 1.6A akım değeri ile belirtilen karakteristikler, 65V nominal gerilim kapasitesi ile mobil haberleşme sistemleri, GSM/EDGE hücresel uygulamaları ve benzer RF iletim cihazlarında yer alır. OM-880X-2L2L paketlemesi ile sağlanan bileşen, son üretim partileridir (Last Time Buy).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.6 A |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Gain | 19.3dB |
| Package / Case | OM-880X-2L2L |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 231W |
| Supplier Device Package | OM-880X-2L2L |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok