Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T18S261W12NR3
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- OM-880X-2L2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T18S261W12NR3
A2T18S261W12NR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T18S261W12NR3, AIRFAST RF Power LDMOS transistörüdür. 1.805GHz ile 1.88GHz frekans aralığında çalışmak üzere tasarlanmıştır. 28V test gerilimi altında 280W çıkış gücü sunar ve 18.2dB kazanç sağlar. 65V nominal gerilim derecesiyle yüksek frekans güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. GSM ve benzer mobil haberleşme sistemlerinde RF güç yükseltme aşamalarında uygulanmıştır. OM-880X-2L2L paketinde sunulur. Ürün üretimden kaldırılmış (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.5 A |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Gain | 18.2dB |
| Package / Case | OM-880X-2L2L |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 280W |
| Supplier Device Package | OM-880X-2L2L |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok