Transistörler - FET, MOSFET - RF

A2T18S166W12SR3

FET RF 1.8GHZ 166W NI-780S-2L2

Paket/Kılıf
NI-780-2S2L
Seri / Aile Numarası
A2T18S166W12SR3

A2T18S166W12SR3 Hakkında

NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T18S166W12SR3, 1.8GHz ila 1.995GHz frekans aralığında çalışan LDMOS RF transistörüdür. 28V nominal çalışma gerilimi ile 38W çıkış gücü sağlayarak, GSM, CDMA ve diğer mobil iletişim sistemlerinde güç amplifikasyonu uygulamalarında kullanılır. NI-780-2S2L paket tipi ile yüksek entegrasyon yoğunluğu sunar. Baz istasyonu amplifikatörleri, RF enerji hasat uygulamaları ve profesyonel iletişim ekipmanlarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Frequency 1.805GHz ~ 1.995GHz
Package / Case NI-780-2S2L
Part Status Active
Power - Output 38W
Supplier Device Package NI-780-2S2L
Transistor Type LDMOS
Voltage - Rated 28 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok