Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T18S165-12SR3
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780-2S2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T18S165
A2T18S165-12SR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T18S165-12SR3, AIRFAST RF Power LDMOS transistördür. 1.805 GHz ile 1.995 GHz frekans aralığında çalışan bu transistör, 148W çıkış gücü ve 18dB kazanç sağlar. 65V dereceli voltaj ile 28V test koşullarında 800mA akım taşıyabilir. NI-780-2S2L paketinde sunulan komponent, GSM, DCS ve PCS bant uygulamalarında RF güç amplifikasyon için kullanılır. LDMOS teknolojisi sayesinde lineer ve verimli performans sunar. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 800 mA |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 1.805GHz ~ 1.995GHz |
| Gain | 18dB |
| Package / Case | NI-780-2S2L |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 148W |
| Supplier Device Package | NI-780-2S2L |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok