Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T18S162W31SR3
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-2L2LA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T18S162W31SR3
A2T18S162W31SR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T18S162W31SR3, RF uygulamaları için tasarlanmış bir LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistördür. 1.84GHz çalışma frekansında 32W çıkış gücü sunmaktadır. 20.1dB kazanç ile RF amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 65V nominal voltaj değeri ile yüksek güç uygulamalarına uygundur. NI-780S-2L2LA paketinde sunulan bu transistör, GSM, CDMA ve diğer kablosuz iletişim sistemlerindeki temel bileşenlerdir. Test koşullarında 28V voltaj ve 1A akımda karakterize edilmiştir. Ürün, günümüzde üretilmemekle beraber endüstriyel arşiv ve onarım uygulamalarında referans olarak kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1 A |
| Frequency | 1.84GHz |
| Gain | 20.1dB |
| Package / Case | NI-780S-2L2LA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 32W |
| Supplier Device Package | NI-780S-2L2LA |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok