Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T18S162W31GSR3
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780GS-2L2LA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T18S162W31GSR3
A2T18S162W31GSR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T18S162W31GSR3, RF uygulamaları için tasarlanmış bir LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistördür. 1.84 GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 32W çıkış gücü sağlar ve 20.1 dB kazanç sunar. 28V test voltajında 1A test akımı ile değerlendirilmiş olup, maksimum 65V nominal voltaj derecesine sahiptir. NI-780GS-2L2LA paketinde sunulan bu transistör, radyo frekans güç amplifikatörleri, kablosuz iletişim sistemleri ve RF sinyal işleme uygulamalarında kullanılmaktadır. Yüksek frekans RF tasarımlarında güvenilir performans ve yeterli güç çıkışı gerektiren endüstriyel ve telekomünikasyon uygulamaları için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1 A |
| Frequency | 1.84GHz |
| Gain | 20.1dB |
| Package / Case | NI-780GS-2L2LA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 32W |
| Supplier Device Package | NI-780GS-2L2LA |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok