Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T18S160W31SR3
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780S-2L2LA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T18S160W31SR3
A2T18S160W31SR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T18S160W31SR3, RF uygulamaları için tasarlanmış LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistördür. 1.88GHz frekansında çalışan bu bileşen, 32W çıkış gücü ve 19.9dB kazançla RF güç amplifikatörü devrelerinde kullanılmaktadır. 28V test voltajında 1A akım kapasitesine sahip olan transistör, maksimum 65V çalışma voltajına dayanıklıdır. NI-780S-2L2LA paket formatında sunulan komponent, hücresel iletişim, yayın ve endüstriyel RF sistemlerinde yer alan güç yönetimi uygulamalarında yer bulur. Bileşen şu anda üretim dışıdır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1 A |
| Frequency | 1.88GHz |
| Gain | 19.9dB |
| Package / Case | NI-780S-2L2LA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 32W |
| Supplier Device Package | NI-780S-2L2LA |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok