Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T18S160W31GSR3
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-780GS-2L2LA
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T18S160W31GSR3
A2T18S160W31GSR3 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T18S160W31GSR3, RF uygulamaları için tasarlanmış LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) transistörüdür. 1.88 GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 32W çıkış gücü ve 19.9 dB kazanç sağlar. 28V test gerilimiyle 1A akım taşıyabilen transistör, maksimum 65V nominal gerilime kadar dayanıklıdır. NI-780GS-2L2LA paketlemesiyle sunulan komponent, GSM, CDMA ve diğer mobil haberleşme standartlarında kullanılan RF güç amplifikatörleri ve broadcast uygulamalarında tercih edilir. Son sipariş döneminde (Last Time Buy) olan ürün, mevcut stok üzerinde temin edilebilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1 A |
| Frequency | 1.88GHz |
| Gain | 19.9dB |
| Package / Case | NI-780GS-2L2LA |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 32W |
| Supplier Device Package | NI-780GS-2L2LA |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok