Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T18H455W23NR6
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- OM-1230-4L2S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T18H455W23NR6
A2T18H455W23NR6 Hakkında
NXP Semiconductors A2T18H455W23NR6, AIRFAST RF Power LDMOS Transistördür. 1.805GHz ile 1.88GHz frekans aralığında çalışan bu transistör, 56dBm çıkış gücü ve 14.5dB kazanç sağlamaktadır. 65V nominal çalışma gerilimi ve 31.5V test geriliminde 1.08A akım taşıyabilmektedir. OM-1230-4L2S paketinde sunulan bu LDMOS transistörü, GSM 1800 ve DCS 1900 frekans bandlarında RF güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Cep telefonu, kablosuz haberleşme ve broadcast sistemlerinde transmitter devrelerinde yer almaktadır. Ürün artık üretim dışı (Obsolete) konumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 1.08 A |
| Current Rating (Amps) | 10µA |
| Frequency | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Gain | 14.5dB |
| Package / Case | OM-1230-4L2S |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 56dBm |
| Supplier Device Package | OM-1230-4L2S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 31.5 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok