Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T18H450W19SR6
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-1230S-4S4S
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T18H450W19SR6
A2T18H450W19SR6 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen A2T18H450W19SR6, RF uygulamaları için tasarlanmış bir LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) transistördür. 1.805-1.88 GHz frekans aralığında çalışan bu bileşen, 89W çıkış gücü ve 16.5dB kazanç sağlar. 30V nominal gerilim ile uyumlu olup, NI-1230S-4S4S paketinde sunulmaktadır. Hücresel haberleşme, kablosuz iletişim ve radyo frekans güç amplifikasyon uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. Üretimi sonlandırılmış (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Frequency | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Gain | 16.5dB |
| Package / Case | NI-1230S-4S4S |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Output | 89W |
| Supplier Device Package | NI-1230S-4S4S |
| Transistor Type | LDMOS |
| Voltage - Rated | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok