Transistörler - FET, MOSFET - RF
A2T18H410-24SR6
IC TRANS RF LDMOS
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- NI-1230-4LS2L
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - RF
- Seri / Aile Numarası
- A2T18H410
A2T18H410-24SR6 Hakkında
A2T18H410-24SR6, NXP Semiconductors tarafından üretilen dual LDMOS RF transistörüdür. 1.81GHz frekansında çalışan bu entegre devre, 71W çıkış gücü ve 17.4dB kazanç sunmaktadır. 28V test gerilimi ve 800mA test akımında karakterize edilen bileşen, maksimum 65V rated geriliminde kullanılabilir. NI-1230-4LS2L paketinde sunulan bu RF transistörü, mobil haberleşme sistemleri, broadcast uygulamaları ve endüstriyel RF amplifikatör tasarımlarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Son üretim (Last Time Buy) durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Test | 800 mA |
| Frequency | 1.81GHz |
| Gain | 17.4dB |
| Package / Case | NI-1230-4LS2L |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power - Output | 71W |
| Supplier Device Package | NI-1230-4LS2L |
| Transistor Type | LDMOS (Dual) |
| Voltage - Rated | 65 V |
| Voltage - Test | 28 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok